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J-GLOBAL ID：201702255542126085   整理番号：17A0201232

感光性BCBプロセスに基づくINPの光電気的性質の研究【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and Characteristics of Integrated Devices with Photosensitive BCB Dielectric on InP Wafer

著者 (7件)： Zhao Hua (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Xi (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Ding Peng (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yao Hongfei (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Su Yongbo (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Jin Zhi (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Xinyu (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao  (Zhenkong Kexue yu Jishu Xuebao)
巻： 36  号： 10  ページ： 1119-1123  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2159A  ISSN： 1672-7126  CODEN： CKKSDV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,INPベースのTRLとキャリブレーションを,感光性BCB技術を用いて製作し,この毫米波片の統合技術を研究した。感光性BCBプロセスは三層金属と一層のBCB媒体を含む。プロセスの実現可能性を検証するために,電磁シミュレータを用いて,TRLキャリブレーションと2種類の受動回路を設計した。2つの受動回路を,TRL技術を用いて,75から得た。110GHZでの固有特性を示した。シミュレーション結果と比較して,S_(11)/S_(22)の振幅変動は5DB未満であり,S_(12)/S_(21)の振幅変動は0.3DB未満であった。シミュレーション結果は,去嵌の固有値と一致し,これは,光学的BCBプロセスが,ミリの開発に,より適していることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電気的性質 ,  シミュレーション ,  媒質 ,  振幅ゆらぎ ,  シミュレータ ,  固有値
準シソーラス用語： 受動回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： BCB dielectric process ,  TRL calibration standard ,  MS passive devices ,  millimeter-wave

分類 (3件)： 電磁気的量の計測一般  (AD07010R) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 感光性 ,  プロセス ,  InP ,  電気的性質 ,  研究