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J-GLOBAL ID：201702258990156596   整理番号：17A0446182

高導電性で透明なアンチモンをドープした酸化すず薄膜スパッタリング出力密度の役割【Powered by NICT】

Highly conducting and transparent antimony doped tin oxide thin films: the role of sputtering power density

著者 (4件)： Yu Shihui (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Zheng Haoran (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Li Lingxia (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China) ,  Chen Siliang (School of Electronic and Information Engineering and Key Laboratory of Advanced Ceramics and Machining Technology of Ministry of Education, Tianjin University, Tianjin 300072, PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 7  ページ： 5654-5660  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SbをドープしたSnO_2薄膜は600°Cでマグネトロンスパッタリングにより石英基板上に堆積し,優先配向,構造,表面形態,光学的および電気的性質に及ぼすスパッタリング出力密度の影響を研究した。XRDでは,すず石型正方晶構造の形成とすず酸素薄膜の(211)方向に優先配向の存在を確認し解析した。転位密度分析から,発生した欠陥はSnO_2格子における適切なスパッタリング出力密度によって抑制されることを明らかにした。表面形態の研究は,粒サイズと表面粗さはスパッタリング出力密度に顕著に影響されることを示した。SbをドープしたSnO_2薄膜の抵抗率は徐々にスパッタリング出力密度が増加するにつれて減少し,7.65/cm~2で8.23×10~ 4Ωcmの最小値に達し,その後増加し始める。抵抗率の変化の可能な機構を提案した。平均透過率がすべての薄膜で可視領域(380 780nm)で83%以上であり,光学バンドギャップは4.1eV以上であった。また種々のスパッタリング出力密度で光学的性質の変化の機構を検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  *スパッタリング ,  転位密度 ,  優先配向 ,  *ドーピング ,  光学ギャップ ,  電気抵抗率 ,  正方晶系 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *導電性 ,  透過率 ,  *アンチモン ,  表面形態 ,  石英基板 ,  *出力密度

著者キーワード (5件)： TCO ,  薄膜 ,  表面形態 ,  電気的性質 ,  光学的性質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高導電性 ,  アンチモン ,  ドープ ,  酸化すず ,  薄膜 ,  スパッタリング ,  出力密度 ,  役割