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J-GLOBAL ID:201702260182901770   整理番号:17A0471321

Si(111)- 7×7表面への一酸化炭素の吸着【Powered by NICT】

Adsorption of carbon monoxide on the Si(111)-7×7 surface
著者 (1件):
資料名:
巻: 405  ページ: 209-214  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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SiのCOと表面化学の吸着は,表面科学におけるよく理解されている話題である。しかし,Si(111) 7×7表面上のCOの吸着の研究は不足している。本研究では,Si(111) 7×7上のCOの吸着をクラスタモデルを用いた高レベル密度汎関数理論計算によって研究した。二吸着配置は,速度論的および熱力学的に実行可能であることが分かった:吸着原子に対する静止原子とバックボンド挿入にオントップ,C原子による表面への結合。吸着質の構造的,電子的,および分光学的性質は,両配位におけるC-O-Si結合のσ-供与/π受容性を示した。オントップ配置におけるσドネーションの支配はオントップ吸着質に正味の正電荷をもたらし,反対の状況は,バックボンド挿入吸着質上の正味の負電荷を生じた。著者らの研究は,基本的な表面化学現象の以前の実験的観察の詳細な理解を提供し,COを用いたSi表面官能化の応用の可能性を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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半導体薄膜  ,  物理的手法を用いた吸着の研究  ,  半導体の表面構造  ,  吸着の電子論 
タイトルに関連する用語 (3件):
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