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J-GLOBAL ID：201702260214039141   整理番号：17A0755411

SONOSフラッシュメモリにおける電場誘起窒化にトラップされた電荷の横方向移動【Powered by NICT】

Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Lateral Migration in a SONOS Flash Memory

著者 (8件)： Liu Yu-Heng (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Jiang Cheng-Min (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Wei-Chun (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wang Tahui (Department of Electronics Engineering, Institute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Tsai Wen-Jer (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Lu Tao-Cheng (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Kuang-Chao (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan) ,  Lu Chih-Yuan (Macronix International Company, Ltd., Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 48-51  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SONOSフラッシュセルにおける電場誘起捕捉電子横方向移動を調べた。しきい値電圧シフト(ΔV_t)とゲート誘起ドレイン漏れ(GIDL)電流は,保持中の窒化物電子の動きを監視するために測定した。垂直と横方向電場を変化させる保持のゲートとソース/ドレインに種々の電圧を適用した。著者らの研究は,ことを示した1)GIDL電流はトラップされた電荷の横方向移動を監視するために使用でき,2)窒化電荷側方移動は横方向電場への強い依存性を示した。測定された温度および磁場依存性に基づいて,熱的に支援されたトンネリングによる窒化捕獲電荷放出過程は電子横方向移動のために提案した。熱支援トンネリング,直接トラップにバンドトンネリングとFrenkel-Poole放出の放出速度を比較した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電荷 ,  *窒化 ,  *フラッシュメモリ ,  捕捉電子 ,  温度依存性 ,  窒化物 ,  トンネル効果 ,  電圧 ,  *電場 ,  電流 ,  捕獲電荷 ,  磁場依存性 ,  *改変
準シソーラス用語： 放出速度 ,  閾値電圧シフト ,  *SONOS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： SONOS ,  フラッシュメモリ ,  電場 ,  誘起 ,  窒化 ,  電荷 ,  横方向移動