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J-GLOBAL ID：201702262454023649   整理番号：17A1729446

ナノメートルMIFGMOSFETの確率論的モデル【Powered by NICT】

Probabilistic model of nanometer MIFGMOSFET

著者 (2件)： Banchuin Rawid (Department of Computer Engineering, Siam University, Bangkok, Thailand) ,  Chaisricharoen Roungsan (School of Information Technology, Mae Fah Luang University, Chiangrai, Thailand)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ECTI-CON  ページ： 781-784  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノメートル多入力フローティングゲートMOSFET(MIFGMOSFET)のドレイン電流のランダム変動の確率的モデルを本研究で提案されている。モデリングプロセスは,ランダム変動の主要な物理的レベル原因例えばランダムドーパント変動とラインエッジ粗さを考慮した。は99%信頼度で90nm SPICE BSIM4ベースのモンテカルロシミュレーションを用いて得られた候補MIFGMOSFETの正規化ランダムドレイン電流変動の確率分布を適合できるので,提案したモデルは非常に正確であることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フローティングゲート ,  *MOSFET ,  *確率モデル ,  信頼度 ,  確率分布 ,  正規化 ,  *モデル ,  モンテカルロシミュレーション ,  *数学モデル ,  度
準シソーラス用語： ラインエッジ粗さ ,  ドレイン電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 確率論的モデル