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J-GLOBAL ID：201702270159779204   整理番号：17A0496535

n型シリコンカーバイド層を持つa-Si:H薄膜太陽電池の改善された短絡電流密度

Improved short-circuit current density of a-Si:H thin film solar cells with n-type silicon carbide layer

著者 (9件)： DUAN Juanmei (Shanghai Univ., Shanghai, CHN) ,  DUAN Juanmei (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN) ,  WANG Weiyan (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN) ,  LI Hongjiang (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN) ,  HUANG Jinhua (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN) ,  FANG Xuyang (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN) ,  SONG Weijie (Ningbo Inst. of Material Technol. and Engineering, Chinese Acad. of Sci., Ningbo, CHN) ,  SONG Weijie (Jiangsu Collaborative Innovation Center of Photovoltaic Sci. and Engineering, Changzhou, CHN) ,  YANG Weiguang (Shanghai Univ., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 5  ページ： 3955-3961  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短絡電流密度(J_sc)を高めるには光捕獲を上げることが必須であり,背面反射器が重要な働きをしている。背面反射構造としてn型シリコンカーバイド(n-SiC_x:H/Ag)を付けたp-i-n水素化アモルファスシリコン薄膜太陽電池の性能を調べた。CH₄/SiH₄比を0から0.4に増やすと,n-SiC_x:H薄膜の屈折率が3.8から3.4に減り,電気伝導度が1.24S/cmから1.48E-5S/cmに減少した。n-SiH/Ag構造の電池と比べると,n-SiC_x:H/Ag構造の太陽電池のJ_scは8.4%改善されn-SiH/ZnO/Ag構造の太陽電池と同等である。その結果,a-Si:H太陽電池の効率は7.88%,Voc=0.825V,J_sc=13.35mA/cm²,FF=71.6%になった。J_scの改善は500~800nmの長波長スペクトル応答が高まったためである。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  電流密度 ,  シラン ,  炭化ケイ素 ,  光トラッピング ,  屈折率 ,  電気伝導率 ,  効率 ,  電圧 ,  比率 ,  応答 ,  反射率 ,  *反射器 ,  スペクトル応答 ,  *短絡電流密度 ,  薄膜太陽電池 ,  変換効率
準シソーラス用語： *シリコンカーバイド ,  フィルファクター【太陽電池】 ,  開放電圧 ,  光捕獲 ,  水素化ケイ素 ,  電気伝導度 ,  反射装置

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： N型シリコン ,  カーバイド ,  薄膜太陽電池 ,  短絡電流密度