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J-GLOBAL ID：201702270756545166   整理番号：17A0407160

陽イオン置換はCu_2Cd_Zn_1 SnS_4薄膜の構造転移,バンドギャップ工学と結晶粒成長を誘導する【Powered by NICT】

Cation substitution induced structural transition, band gap engineering and grain growth of Cu₂Cd Zn_1- SnS₄ thin films

著者 (8件)： Zhang Qiao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Deng Hongmei (Laboratory for Microstructures, Shanghai University, 99 Shangda Road, Shanghai 200444, China) ,  Chen Leilei (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yu Lu (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Tao Jiahua (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Sun Lin (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Yang Pingxiong (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China) ,  Chu Junhao (Key Laboratory of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Department of Electronic Engineering, East China Normal University, Shanghai 200241, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 695  ページ： 482-488  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カチオン置換の程度を変化させたCu_2Cd_Zn_1 SnS_4(CCZTS)薄膜を,前駆体溶液とそれに続くポスト硫化処理をスピンコーティングによる簡単な方法を用いて作製した。X線回折とRaman分光法からの結果を組み合わせて,CdとZnの置換はCCZTS中のCd含有量の増加と共に黄錫鉱と黄錫亜鉛鉱の相転移と同様に確認された。進行性カチオン置換をXRDパターンにおける赤方偏移するに伴ってRamanピーク低波数に向かって動く,および計算した単位胞,格子膨張を示すによって明らかにした。粒径はCu_2ZnSnS_4(CZTS)膜へのCdの導入によって劇的に改善されたことが観察された。特に,光透過率スペクトルによって決定したCCZTS膜のバンドギャップは1.35(x=0.0)から1.15eV(x=1.0)からの合成前駆体のCd/(Cd + Zn)比を調整すること湾曲モデル(0.10 eV)の小湾曲定数によって直線的に制御されることを示した。CCZTSにおける黄錫亜鉛鉱スタンナイト転移について得られた知識が事前焼なましと後硫化した結果としてのCZTS高結晶度にCd合金化の基本的な理解を可能にした。これはカチオン置換誘起粒成長の実用可能性,CCZTSにおける相転移に関する意識をもたらし,そのような処理したCuベース太陽電池の作製に向けてこれらの化合物の効率的なバンドギャップ工学を開発する可能性があることを示唆している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *亜鉛 ,  *銅 ,  X線回折 ,  太陽電池 ,  赤方偏移 ,  Raman分光法 ,  *構造相転移 ,  粒径 ,  スズ ,  硫化 ,  焼なまし ,  *カドミウム ,  *バンドギャップ ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  相転移 ,  Microstructure ,  光学的性質

分類 (3件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 陽イオン ,  置換 ,  薄膜 ,  構造転移 ,  バンドギャップ ,  工学 ,  結晶粒成長 ,  誘導