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J-GLOBAL ID：201702271189480317   整理番号：17A0759457

薄い簡単な緩衝液を用いたAlGaN/GaNH EMTの特性に及ぼす有機金属気相エピタクシーパラメータとSi(111)基板タイプの影響【Powered by NICT】

Influence of metal-organic vapor phase epitaxy parameters and Si(111) substrate type on the properties of AlGaN/GaN HEMTs with thin simple buffer

著者 (10件)： Frayssinet Eric (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Leclaire Paul (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Leclaire Paul (IEMN CNRS UMR 8520, Avenue Poincare, BP60069, 59652 Villeneuve d’Ascq Cedex, France) ,  Mohdad Jad (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Latrach Soumaya (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Latrach Soumaya (LMON, Universite Monastir, Av. de l’Environnement, 5000 Monastir, Tunisia) ,  Chenot Sebastien (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Nemoz Maud (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Damilano Benjamin (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France) ,  Cordier Yvon (CRHEA CNRS UPR 10, rue B. Gregory, 06560 Valbonne, France)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600419  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Si(111)上の簡単なバッファ層をもつAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)ヘテロ構造の特性に及ぼす有機金属気相エピタクシー(MOVPE)成長条件の影響の研究を行った。高抵抗率シリコン上に成長させた試料の最初のシリーズにおいて,条件はGaNバッファ層内で変化させたAlN核形成層とH EMT障壁とキャップ層に対して変化しなかった。XRDとA FMは,特に過剰成長圧力あるいはV/III比の場合のエピ層構造品質のいくつかの違いを明らかにした。容量-電圧(CV)測定は,AlN/GaN界面に存在する二次元電子ガス(2DEG)のピンチオフ領域の違いを明らかにした。1例を除いて,孤立デバイス間のバッファ漏れ電流はピンチオフ挙動と相関していた。これら構造の大部分は,GaNチャネル成長条件に依存して1×10~13cm~ 2のシートキャリア密度と電子移動度1100と1400cm~2V~ 1s~ 1を示した。トランジスタの出力と伝達特性(最大ドレイン電流と漏れ電流)は,以前の電気的キャラクタリゼーションと一致した。構造および電気的特性の組合せのおかげで,そのようなHEMT構造のための最適成長条件を決定することができた。高抵抗率シリコンと比較して,導電性基板上に良好な構造的及び電気的品質を得た。電子移動度1700cm~2V~ 1s~ 1の2DEGは117Vのオフ状態破壊電圧を生成する0.5μm厚バッファを持つ構造内で達成された。はヘテロ構造の品質に及ぼす基板表面特性の重要な役割を明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  HEMT ,  ケイ素 ,  *MOCVD ,  ピンチオフ ,  電圧 ,  *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  漏れ電流 ,  窒化アルミニウム ,  バッファ層 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  電子移動度 ,  ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  エピタクシー ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  MOVPE ,  シリコン

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 緩衝液 ,  AlGaN ,  EMT ,  有機金属気相エピタクシー ,  パラメータ ,  Si ,  タイプ