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J-GLOBAL ID：201702271623813214   整理番号：17A0548767

NEA-InGaNフォトカソードの量子効率に対する熱処理の効果

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著者 (7件)： 鹿島将央 (東京理大) ,  飯島北斗 (東京理大) ,  西谷智博 (名大 IAR) ,  佐藤大樹 (名大 院) ,  本田善央 (名大 IMASS) ,  天野浩 (名大 IMASS) ,  目黒多加志 (東京理大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15a-P6-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光電陰極 ,  *量子効率 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  電子親和力 ,  セシウム ,  活性化 ,  レーザ照射 ,  熱処理 ,  加熱 ,  昇温脱離 ,  負電子親和力 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (5件)： NEA ,  InGaN ,  フォトカソード ,  量子効率 ,  熱処理