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J-GLOBAL ID：201702273444204077   整理番号：17A0344480

SEMMoireによる電気破壊後の薄い導電性金属ワイヤの残留歪測定【Powered by NICT】

The Residual Strain Measurement of Thin Conductive Metal Wire after Electrical Failure with SEMMoire

著者 (7件)： Li Yanjie (AML, Department of Engineering Mechanics, Tsinghua University) ,  Xie Huimin (AML, Department of Engineering Mechanics, Tsinghua University) ,  Wang Qinghua (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology) ,  Zhou Mengmeng (AML, Department of Engineering Mechanics, Tsinghua University) ,  Xu Manqiong (AML, Department of Engineering Mechanics, Tsinghua University) ,  Luo Qiang (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Gu Changzhi (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Acta Mechanica Solida Sinica  (Acta Mechanica Solida Sinica)
巻： 29  号： 4  ページ： 371-378  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2556A  ISSN： 0894-9166  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,電気的故障後の高分子基板上の薄い導電性金属ワイヤの残留歪をSEMモアレを用いて測定した。集束イオンビーム(FIB)ミリングは,コンスタンタン細線の表面上のミクロンモアレ格子を作製するために適用し,ランダム位相シフト法を用いて,モアレ縞を処理した。仮想歪法を簡単に紹介し,試験片の実際の歪を計算した。コンスタンタン線の電気破壊に及ぼす欠陥の影響を研究するために,実験は二試料,き裂を有する一つで実施した,亀裂のない他の一つである。結果を比較することにより,欠陥は電気的故障減少の重要なビーム電流を高めることを見出した。添加では,試料を電気的故障後圧縮を受ける試験片の亀裂閉口と一致した。結果がうまくいったことthemoiremethodは高分子膜上にコンスタンタン線の全視野変形を特性化するために有効であり,薄膜の変形測定への更なる応用のための良好な可能性を持つことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 試験片 ,  故障 ,  細線 ,  *導電性 ,  亀裂 ,  モアレ ,  キャラクタリゼーション ,  *金属線 ,  集束イオンビーム ,  干渉縞 ,  *残留歪 ,  亀裂閉口 ,  コンスタンタン
準シソーラス用語： ビーム電流 ,  ランダム位相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SEMモアレ ,  残留歪 ,  金属線 ,  集束イオンビーム(FIB)

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 破壊 ,  導電性金属 ,  ワイヤ ,  残留 ,  歪測定