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J-GLOBAL ID：201702275144737844   整理番号：17A0890877

二重共鳴SFG分光法で調べたフラーレン膜における層間電子-フォノン結合に及ぼす基板の影響【Powered by NICT】

Substrate influence on the interlayer electron-phonon couplings in fullerene films probed with doubly-resonant SFG spectroscopy

著者 (3件)： Elsenbeck Dennis (Department of Chemistry, University at Buffalo, The State University of New York, Buffalo, New York 14260-3000, USA. [e-mail]) ,  Das Sushanta K. ,  Velarde Luis
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 28  ページ： 18519-18528  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,埋込み界面での核と電子結合間の相互作用を調べる方法として,金属と誘電体基板上のフラーレン薄膜の二重共鳴和周波数発生(DR SFG)スペクトルを示した。スパンニング可視領域励起波長のために,C₆₀振動特徴の電子的増加におけるモードと基質選択性を実証した。フラーレンの完全に対称的なA_g(2)モードのSFG応答は,C₆₀のHOMO-LUMO+1(約2.6eV)に対応する光学的に許容される電子遷移に明確に結合しているが,T_1u(4)振動モードはより低いエネルギー(約2.0eV)で対称禁制HOMO-LUMO遷移に結合された。誘電体基板の場合,T_1u(4)モードのDR-SFG強度は,光学的に暗いLUMOとの共鳴から離れたアップコンバージョン波長の増強の欠如を示した。しかし,T_1u(4)モードは,金基板上のフラーレン膜についてのみ中間状態(約2.4eV)への独特の結合を示した。この結合は,埋め込まれたC₆₀/金界面での独自の相互作用に起因していると考えられる。これらの結果から,C₆₀/基板界面での明確な電子-フォノン結合の発生を示し,電子的に励起されたフラーレンの光学応答に対するこれらの結合の影響を明らかにした。この結合は,振動運動によって媒介される有機電子デバイスにおける電荷およびエネルギー輸送に影響を及ぼし得た。著者らはまた,化学イメージングにおけるこの選択された選択性の潜在的な使用を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二重共鳴 ,  スペクトロスコピー ,  *フラーレン ,  *電子-フォノン相互作用 ,  *薄膜 ,  和周波数発生 ,  電荷移動 ,  固体素子 ,  エネルギー輸送 ,  電子遷移 ,  誘電体 ,  波長 ,  振動モード
準シソーラス用語： SFG分光法 ,  *フラーレン膜 ,  *電子-フォノン結合 ,  有機電子デバイス ,  励起波長

分類 (1件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重共鳴 ,  SFG分光法 ,  フラーレン膜 ,  電子-フォノン結合