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J-GLOBAL ID：201702275273412343   整理番号：17A0046723

ニッケルゲルマニウム化中の炭素存在下でのドーパント偏析の促進によるNiGe/n-およびp-Ge固有接触抵抗率の低減

Reduction of NiGe/n- and p-Ge Specific Contact Resistivity by Enhanced Dopant Segregation in the Presence of Carbon During Nickel Germanidation

著者 (12件)： Duan Ningyuan (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Luo Jun (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Wang Guilei (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Liu Jinbiao (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Simoen Eddy (imec, Leuven, Belgium) ,  Mao Shujuan (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Radamson Henry (KTH Royal Institute of Technology, Kista, Sweden) ,  Wang Xiaolei (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Li Junfeng (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Wang Wenwu (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Zhao Chao (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China) ,  Ye Tianchun (Chinese Academy of Sciences, Institute of Microelectronics, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 11  ページ： 4546-4549  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この簡単な説明では,炭素プレゲルマニウム化注入の有無にかかわらず,NiGe/n-およびp-Geコンタクトの固有の接触抵抗率(ρ_c)について説明します。炭素の存在下では,NiGe膜の熱安定性が改善されるばかりでなく,NiGe/n-コンタクトとp-Geコンタクトのρ_cが,ニッケルゲルマニウム化後のNiGe/Ge界面での増強された燐(P)およびホウ素(B)ドーパント偏析により 著しく減少する。500°Cのゲルマニウム化温度では,炭素と対をなす7.3×10^-5Ωcm²および1.4×10^-5Ωcm²である,炭素を含まないNiGe/n-およびp-Ge接触として,ρ_c値は1.1×10^-4Ωcm²と2.9×10^-5Ωcm²から減少する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *偏析 ,  *ドーパント ,  *ニッケル化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *ゲルマニウム ,  *電気抵抗率 ,  *接触抵抗 ,  *炭素 ,  *注入 ,  熱安定性 ,  半導体接合 ,  二次イオン質量分析 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： ドーパント偏析 ,  固有接触抵抗率 ,  浅い接合

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： ニッケル ,  ゲルマニウム ,  炭素 ,  ドーパント偏析 ,  促進 ,  固有 ,  接触抵抗率