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J-GLOBAL ID：201702275992728937   整理番号：17A0170551

LZO膜のエピタキシャル成長に及ぼす熱処理パラメータの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Heat-treatment Parameters on the Epitaxial Growth of LZO Film Deposited by CSD Process

著者 (5件)： Yu Zeming (Northwest Institute for Nonferrous Metal Research) ,  Wang Yao (Northwest Institute for Nonferrous Metal Research) ,  Jin Lihua (Northwest Institute for Nonferrous Metal Research) ,  Li Chengshan (Northwest Institute for Nonferrous Metal Research) ,  Zhang Pingxiang (Northwest Institute for Nonferrous Metal Research)
資料名： Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng  (Xiyou Jinshu Cailiao yu Gongcheng)
巻： 45  号： 10  ページ： 2683-2686  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0563A  ISSN： 1002-185X  CODEN： XJCGEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： LZO膜のエピタキシャル成長に及ぼす熱処理パラメータの影響を研究した。結果により,実験条件の範囲内で,熱処理温度の上昇,熱処理時間の延長および加熱速度の増加は,(400)_(LZO)回折ピークの強度を増加させることができた。熱処理温度,熱処理時間および加熱速度に対して,LZO膜の集合組織は熱処理時の酸素分圧に非常に敏感であり,酸素分圧は単一テクスチャ成分を有するLZO膜の調製に直接影響した。更なる分析により、従来の核形成成長理論は熱処理温度、熱処理時間と加熱速度がLZO膜のエピタキシャル成長に与える影響をよく説明できることが分かった。酸素分圧の増加は,LZO膜のエピタキシャル成長に対して二重効果を持ち,一方,酸素分圧の増加は,膜中の炭素析出を減少させることができ,一方,酸素分圧を減少させることによって,自発的核形成成長に対する抑制効果を弱めることができた。最終的に,LZO膜は単一の立方体集合を持たない。そのため、異なる熱処理段階の酸素分圧をより合理的に制御/変更することは、LZO膜の成長動力学を改善すると同時に、そのエピタキシャル成長に影響しない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 加熱速度 ,  *熱処理 ,  回折 ,  核形成 ,  集合組織 ,  六面体 ,  酸素分圧 ,  熱処理温度 ,  実験条件
準シソーラス用語： 抑制効果 ,  炭素析出 ,  テクスチャ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： La_2Zr_2O_7 (LZO) buffer layer ,  chemical solution deposition ,  epitaxial growth

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル成長 ,  熱処理 ,  パラメータ ,  研究