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J-GLOBAL ID:201702279063795548   整理番号:17A0260726

縞状磁区構造を有するNIFE薄膜の調製と磁気異方性研究【JST・京大機械翻訳】

Preparation and magnetic anisotropy of NiFe film with stripe domains
著者 (8件):
資料名:
巻: 65  号: 21  ページ: 217501-1-217501-9  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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縞状磁区構造を有する磁性薄膜は、磁気軸内の回転磁気異方性を表現し、高周波電子デバイスの方向性問題を解決する上で、非常に重要な役割を果たしている。本論文では,RFマグネトロンスパッタリング法を用いて,NIFE薄膜の厚さ,スパッタリングパワー密度,スパッタリング圧力などの技術的パラメータが,磁区構造,面内静的磁気異方性,面内回転磁気異方性,垂直磁気異方性に及ぼす影響を研究した。研究により、パワー密度15.6 W/CM2とスパッタリング気圧2 MTORR(1 TORR=1.33322×102 PA)で成長したNIFE薄膜は、縞状磁区の臨界厚さが250 NMから300 NMの間にあることが分かった。厚さ300NMの薄膜は250NM薄膜の垂直磁気異方性よりも1倍近く、磁気モーメントは膜面からずれ、ストライプの磁区構造が形成され、回転面内の回転磁気異方性を表現した。高スパッタリングパワー密度は,薄膜の縞状磁区の臨界厚さを減少させることができた。同じパワー密度15.6W/CM2で300NMのNIFE薄膜を成長させ,スパッタリング圧力が2MTORRから9MTORRに増加した。NIFE薄膜の垂直磁気異方性は異方性 OE(1OE=79.5775 A/M)から3248.0 OEまで増加し、面内回転磁気異方性は72.5 OEから141.9 OEまで増大した。縞状磁区の周期が0.53ΜMから0.24ΜMに減少したとき,柱状結晶の形成は縞状磁区構造の本質的原因であり,高出力密度での低スパッタリング圧力は柱状結晶構造の形成に役立ち,規則的な縞状磁区構造を示した。高スパッタリング圧力は柱状晶繊の微細化を引き起こし、面内回転磁気異方性と面外垂直磁気異方性を増強し、縞の磁区構造を混乱させる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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金属の磁区及び磁化過程 
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