Bi_4xGe_3O_12I 0.5xセラミックの低温焼成とマイクロ波誘電特性【Powered by NICT】

Ma Xing-Hua; Kweon Sang-Hyo; Nahm Sahn; Nahm Sahn; Nahm Sahn; Kang Chong-Yun; Kang Chong-Yun; Yoon Seok-Jin; Kim Young-Sik

文献

J-GLOBAL ID：201702279492416234 整理番号：17A0403970

Bi_4xGe_3O_12I 0.5xセラミックの低温焼成とマイクロ波誘電特性【Powered by NICT】

Low temperature firing and microwave dielectric properties of Bi_4-xGe₃O_12-1.5x ceramics

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著者 (9件)：

Ma Xing-Hua

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(Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 136-701, Republic of Korea)

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Kweon Sang-Hyo

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資料名：

Ceramics International (Ceramics International)

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巻： 43 号： 2 ページ： 2801-2806 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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850°Cで焼結した高密度Bi_4Ge_3O_12セラミックスは15.7,温度係数 24.2ppm/°Cの共振周波数(τ),品質係数(Q×f)28,361GHzの相対誘電率(ε)を有していた。しかし,第二相としてBi_12GeO_20の存在のために,Bi_4Ge_3O_12のマイクロ波誘電特性を劣化させるであろう。Bi_12GeO_20二次相の形成を避けるために,0.1≦x≦0.6のBi_2O_3欠損Bi_4Ge_3O_12Iセラミックは850°Cで焼結した。どんな二次相もなしに5時間,850°Cで焼結したBi_3 6Ge_3O_11(x=0.4)セラミックの単相がセラミック基板に適したマイクロ波誘電特性を示した:ε_=14.9,τ_= 9.5ppm/°C,およびQ×f=53,277GHz。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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