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J-GLOBAL ID：201702284291042440   整理番号：17A0759465

ハイブリッドQM/MMを用いたGaN中のSiとO欠陥のドナー特性の実証【Powered by NICT】

Demonstration of the donor characteristics of Si and O defects in GaN using hybrid QM/MM

著者 (12件)： Xie Zijuan (Department of Physics, Harbin Institute of Technology, 92 Xidazhi Street, Harbin, 150001, P.R. China) ,  Xie Zijuan (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London, WC1H 0AJ, UK) ,  Sui Yu (Department of Physics, Harbin Institute of Technology, 92 Xidazhi Street, Harbin, 150001, P.R. China) ,  Buckeridge John (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London, WC1H 0AJ, UK) ,  Catlow C. Richard A. (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London, WC1H 0AJ, UK) ,  Keal Thomas W. (Scientific Computing Department, STFC, Daresbury Laboratory, Daresbury, Warrington , WA4 4AD, UK) ,  Sherwood Paul (Scientific Computing Department, STFC, Daresbury Laboratory, Daresbury, Warrington , WA4 4AD, UK) ,  Walsh Aron (Department of Chemistry, University of Bath, Bath, BA2 7AY, UK) ,  Scanlon David O. (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London, WC1H 0AJ, UK) ,  Scanlon David O. (Diamond Light Source Ltd., Diamond House, Harwell Science and Innovation Campus, Didcott, Oxfordshire OX11 ODE, UK) ,  Woodley Scott M. (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London, WC1H 0AJ, UK) ,  Sokol Alexey A. (Kathleen Lonsdale Materials Chemistry, Department of Chemistry, University College London, 20 Gordon Street, London, WC1H 0AJ, UK)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 4  ページ： ROMBUNNO.201600445  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド量子力学/分子力学(QM/MM)埋め込みクラスタ計算を用いて,GaN中のけい素と酸素ドーパントの安定化を調べた。Nサイト上のGa部位とOに及ぼすSiの形成エネルギーは二レベル従来の熱化学的および速度論的交換および相関密度汎関数(B97-2とBB1k)を用いての理論で計算した。はこれらの置換型欠陥の浅いドナー性質を確認した。SiとO種の0/1+遷移準位は伝導帯の底の十分上にあり,以前のスーパーセルベースシミュレーションと一致することを見出した。このアーチファクトの起源は関連する実験結果との関連で考察し,ギャップ内の浅い準位は実験と良い一致を確認できるかを正しく示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アーチファクト ,  酸素 ,  速度論 ,  量子論 ,  浅い準位 ,  ドーパント ,  *窒化ガリウム ,  密度汎関数法 ,  分子内力学 ,  *ケイ素 ,  伝導バンド ,  クラスタ ,  *ドナー ,  熱化学
準シソーラス用語： 形成エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： クラスタ計算 ,  ドーピング ,  GaN ,  n型半導体 ,  酸素 ,  シリコン

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  Si ,  欠陥 ,  ドナー ,  実証