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J-GLOBAL ID：201702285270990955   整理番号：17A0537002

SIHCL_3-H_2系の多結晶シリコンの化学気相堆積の動力学モデルを確立した。【JST・京大機械翻訳】

Transport-kinetic model of polysilicon chemical vapor deposition in SiHCl_3-H_2 system

著者 (7件)： Hou Yanqing (National Key Laboratory for Clean Application of Complex Non-ferrous Metal Resources, Kunming University of Science and Technology) ,  Nie Zhifeng (National Key Laboratory for Clean Application of Complex Non-ferrous Metal Resources, Kunming University of Science and Technology) ,  Xie Gang (Faculty of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming University of Science and Technology) ,  Ma Wenhui (National Key Laboratory for Clean Application of Complex Non-ferrous Metal Resources, Kunming University of Science and Technology) ,  Dai Yongnian (Faculty of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming University of Science and Technology) ,  Yu Xiaohua (Faculty of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming University of Science and Technology) ,  Song Dongming (Faculty of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming University of Science and Technology)
資料名： Zhongnan Daxue Xuebao Zirankexueban  (Zhongnan Daxue Xuebao Zirankexueban)
巻： 47  号： 11  ページ： 3627-3634  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2798A  ISSN： 1672-7207  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SIHCL_3-H_2系の多結晶シリコンの化学蒸着のための移動-動力学モデル(TKM)を提案し,同時に,堆積過程と表面化学反応動力学がケイ素堆積速度に及ぼす影響を考慮した表面化学反応速度の制限と移動速度の制限の境界条件により,表面化学反応速度は水素濃度の制限やSIHCL3(TCS)濃度の制限による境界条件を調べ,水素濃度制限とTCS濃度制限のTKMの有効性を検証するために,このモデルを用いて,長さ2M,直径10CM,気流速度0.67M/S,硅棒の表面温度温度K,大気圧(0.1MPA)を計算した。異なるH2/SIHCL3比でのケイ素堆積速度を測定した。研究結果は以下を示す。TKMの計算結果とHABUKAの実験データとの比較によると,相対誤差は3.6%(10%未満)であり,このモデルが正確で信頼できることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ケイ素 ,  境界条件 ,  *化学蒸着 ,  堆積速度 ,  反応速度論 ,  *ポリシリコン ,  表面温度 ,  相対誤差 ,  気流速度 ,  水素濃度 ,  移動速度 ,  表面化学反応 ,  *動力学モデル

著者キーワード (5件)： transport-kinetic model ,  polysilicon ,  chemical vapor deposition ,  silicon deposition rate ,  transport phenomena

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 多結晶シリコン ,  化学気相堆積 ,  動力学モデル