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J-GLOBAL ID:201702286135809129   整理番号:17A0547415

Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成

著者 (7件):
資料名:
巻: 64th  ページ: ROMBUNNO.14a-318-5  発行年: 2017年03月01日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (4件):
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