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J-GLOBAL ID：201702286135809129   整理番号：17A0547415

Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge_1-x-ySi_xSn_y層の形成

著者 (7件)： 渡邉千皓 (名古屋大 大学院) ,  福田雅大 (名古屋大 大学院) ,  坂下満男 (名古屋大 大学院) ,  黒澤昌志 (名古屋大 大学院) ,  中塚理 (名古屋大 大学院) ,  財満鎭明 (名古屋大 大学院) ,  財満鎭明 (名古屋大 未来材料・システム研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14a-318-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *スズ ,  *ケイ素 ,  積層構造 ,  歪 ,  *緩和現象 ,  *バッファ層 ,  MBE成長 ,  RHEED ,  X線回折 ,  空間 ,  *化合物半導体 ,  圧縮歪 ,  逆格子空間 ,  *三元半導体
準シソーラス用語： XRD ,  シリコン ,  *歪緩和

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  バッファ層 ,  Si ,  歪緩和