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J-GLOBAL ID：201702286439312161   整理番号：17A0097011

低温度係数の全CMOS基準電流源【JST・京大機械翻訳】

A Low Temperature Coefficient Full CMOS Current Reference

著者 (5件)： Luo Yanbin (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Le Jianlian (Hangzhou Zhongke Microelectronics Co. Ltd.) ,  Gan Yebing (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Qian Min (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Ye Tianchun (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Weidianzixue  (Weidianzixue)
巻： 46  号： 5  ページ： 624-627  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2386A  ISSN： 1004-3365  CODEN： WEIDFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 従来の基準電流源構造に基づいて,負のブランチを増加して,チップ抵抗の温度係数,トランジスタの温度係数とトランジスタの閾値電圧の温度係数を相殺して,基準電流源の温度補償を実現した。試験結果は,この基準電流源が1.1Vの電源電圧で正常に作動できることを示した。1.2Vの動作電圧において,この電流源の静的電流は26ΜAであり,平均電流は10.36ΜAであった。動作温度が-40°Cから85°Cまで変化するとき,電流の温度係数は3.79×10(-4)/°Cであった。この回路は55NM CMOSプロセスを採用し、チップ面積は4ΜM2で、低消費電力の低コストの要求を満たした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  電圧 ,  *電流 ,  温度補償 ,  *温度係数 ,  *CMOS ,  電源電圧 ,  閾値電圧 ,  抵抗温度係数
準シソーラス用語： 低電力化 ,  チップ面積 ,  動作温度 ,  *電流源 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Current reference ,  Low temperature coefficient ,  Threshold voltage ,  CMOS

分類 (2件)： 電源回路  (NC05060Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 温度係数 ,  CMOS ,  電流源