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J-GLOBAL ID：201702292949979032   整理番号：17A0399736

NH_3分子ビームエピタクシーによる(110)Si基板上に成長させた固体Fe源を用いたFeドープ半絶縁性GaN【Powered by NICT】

Fe-doped semi-insulating GaN with solid Fe source grown on (110) Si substrates by NH₃ molecular beam epitaxy

著者 (5件)： Noh Young Kyun (School of Electrical Engineering, Hanyang University, 55 Hanyangdeahak-ro, Sangnok-gu, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea) ,  Noh Young Kyun (IV Works Co., Ltd., 10-27 Expo-ro 339beon-gil, Daejeon 34122, Yuseong-gu, Republic of Korea) ,  Lee Sang Tae (Department of Physics, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea) ,  Kim Moon Deock (Department of Physics, Chungnam National University, 99 Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34134, Republic of Korea) ,  Oh Jae Eung (School of Electrical Engineering, Hanyang University, 55 Hanyangdeahak-ro, Sangnok-gu, Ansan, Gyeonggi-do 15588, Republic of Korea)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 460  ページ： 37-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉄をドープしたGaN層は源として固体元素鉄を用いたアンモニア分子ビームエピタクシー(MBE)による(110)Si基板上に成長させた。,二次イオン質量分光法により決定した,1×10~20cm~ 3までの濃度を持つ鏡面反射膜を成長させた,Feの限られた取込とは異なり金属rfプラズマMBEによるGaNに入れた。膜中のFe濃度は3.4eVの活性化エネルギーを持つ源温度の逆数であり,それはFeの昇華で報告された値に良く一致したへの指数関数的依存性を示した。シート抵抗1GΩ/sqの1.5μm厚さのGaN膜は,意図しない残留ドナーを補償する小さいFe濃度1×10~17cm~ 3が得られた。X線回折ロッキングカーブは高い結晶品質,非ドープ膜に非常に似ており,半絶縁性膜特性を得るために必要なFe取込は膜の構造特性に影響を及ぼさなかったことを示した。10~17 10~18cm~ 3の範囲で高抵抗と半絶縁性Fe:GaNの低温PLスペクトルは支配的な励起子発光と増強されたドナー-アクセプタ対(DAP)発光を示し,Feイオンはドナー準位とFeに関係したアクセプタ準位間のDAP遷移に寄与し,恐らく残留ドナーを補償する半絶縁性電気特性を達成することを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  発光 ,  *鉄 ,  シート抵抗 ,  アンモニア ,  *ドーピング ,  ドナー ,  *MBE成長 ,  構造特性 ,  活性化エネルギー ,  *窒化ガリウム ,  ドナー-アクセプタ対 ,  X線回折 ,  *半絶縁性 ,  *シリコンウエハ

著者キーワード (6件)： A1特性化 ,  A1ドーピング ,  A3分子ビームエピタクシー ,  B1窒化物 ,  B2半導性III-V材料 ,  B3ヘテロ接合半導体素子

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子ビームエピタクシー ,  Si基板 ,  成長 ,  固体 ,  Fe ,  ドープ ,  半絶縁性 ,  GaN