文献

J-GLOBAL ID：201702297431701305   整理番号：17A0239342

抵抗スイッチング動作を用いたメムリスタの変動性を説明するための物理ベース回路モデル【Powered by NICT】

A physically based circuit model to account for variability in memristors with resistive switching operation

著者 (5件)： Picos R. (Electronic Engineering Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears (Spain)) ,  Roldan J. B. (Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores. Universidad de Granada, (Spain)) ,  Chawa M. M. Al (Electronic Engineering Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears (Spain)) ,  Jimenez-Molinos F. (Departamento de Electronica y Tecnologia de los Computadores. Universidad de Granada, (Spain)) ,  Garcia-Moreno E. (Electronic Engineering Group, Physics Department, Universitat de les Illes Balears (Spain))
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： DCIS  ページ： 1-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリスタに基づくシステムのシミュレーションにおける主要な問題の1つは,これらのデバイスにより示された固有変動がある。本論文では,従来の電流-電圧法の代わりに電荷-磁束関係を用いて抵抗スイッチングに基づくメモリスタにおけるこの変動性を解析した。回路シミュレータに含まれる容易にできるモデルを開発するためにシミュレーションと実験データを用いた。異なる導電性フィラメントサイズのデバイスの物理的数値シミュレーションを紹介3パラメータモデルに適合させるために用いた。モデルパラメータと導電性フィラメントの間の関係に及ぼす後の幾何学的および電気的特徴は詳細な3000リセットサイクルの実験的に測定したセットを用いて特性化した。得られた関係は,実験値に類似の統計的特性を示すパラメータの新しい集合を生成するために使用され,デバイス変動のモデル化を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  モデリング ,  電気的性質 ,  電荷 ,  *回路モデル ,  キャラクタリゼーション ,  磁束 ,  パラメトリックモデル ,  数値シミュレーション ,  導電性フィラメント ,  *抵抗スイッチング
準シソーラス用語： 統計的特性 ,  モデルパラメータ ,  回路シミュレータ ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 抵抗スイッチング ,  メムリスタ ,  変動性 ,  説明 ,  物理 ,  回路モデル