表面修飾基材の製造方法、接合体の製造方法、新規ヒドロシラン化合物および表面修飾基材

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鎌田耕一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015001277
公開番号（公開出願番号）：WO2015-136913
出願日： 2015年03月09日
公開日（公表日）： 2015年09月17日
要約：

本発明の表面修飾基材の製造方法は、極性基が表面に存在する基材と、分子構造Aのケイ素原子に水素原子が結合したSi-H基を有するヒドロシラン化合物と、をボラン触媒の存在下で接触させ、基材と上記化合物との間で脱水素縮合反応を進行させることで、分子構造Aにより表面が修飾された基材を形成する工程を含む。この製造方法では、従来よりも低温かつ短時間での基材表面の修飾が可能であるとともに、基材の形状、種類および用途、修飾反応の形態、ならびに基材表面に修飾させる分子構造の種類などの自由度が高い。

請求項（抜粋）：

極性基が表面に存在する基材と、分子構造Aのケイ素原子に水素原子が結合したSi-H基を有するヒドロシラン化合物と、をボラン触媒の存在下で接触させ、前記基材と前記化合物との間で脱水素縮合反応を進行させることで、前記分子構造Aにより表面が修飾された前記基材を形成する工程を含む、表面修飾基材の製造方法。

IPC (8件)：

C09K 3/00 , C07F 7/08 , C07F 7/10 , C07F 9/40 , C07F 19/00 , C07F 9/28 , B01J 31/02 , C07F 7/12

FI (16件)：

C09K3/00 R , C07F7/08 X , C07F7/08 C , C07F7/10 N , C07F7/10 G , C07F7/10 T , C07F7/08 J , C07F9/40 Z , C07F7/08 F , C07F7/08 H , C07F19/00 , C07F7/08 S , C07F9/28 , B01J31/02 Z , C07F7/12 R , C07F7/10 Q

Fターム (74件)：

4G169AA02 , 4G169BA21A , 4G169BA21B , 4G169BE34A , 4G169BE34B , 4G169BE35A , 4G169BE35B , 4G169BE37A , 4G169BE37B , 4G169CB07 , 4G169CB25 , 4G169CB80 , 4G169DA05 , 4G169FA01 , 4G169FB04 , 4G169FB27 , 4G169FB37 , 4G169FB57 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VP09 , 4H049VP10 , 4H049VQ08 , 4H049VQ12 , 4H049VQ13 , 4H049VQ24 , 4H049VQ25 , 4H049VQ28 , 4H049VQ36 , 4H049VQ37 , 4H049VQ40 , 4H049VQ59 , 4H049VQ64 , 4H049VQ65 , 4H049VQ78 , 4H049VQ79 , 4H049VQ96 , 4H049VR23 , 4H049VR24 , 4H049VR41 , 4H049VS08 , 4H049VS12 , 4H049VS13 , 4H049VS24 , 4H049VS25 , 4H049VS29 , 4H049VS30 , 4H049VS36 , 4H049VS37 , 4H049VS40 , 4H049VS48 , 4H049VS57 , 4H049VS59 , 4H049VS64 , 4H049VS65 , 4H049VT39 , 4H049VT42 , 4H049VT46 , 4H049VU21 , 4H049VU22 , 4H049VW02 , 4H049VW32 , 4H050AA01 , 4H050AA02 , 4H050AA03 , 4H050AB40 , 4H050AB68 , 4H050AB72 , 4H050AB90 , 4H050AB99 , 4H050BA53 , 4H050BD70 , 4H050WA11 , 4H050WA27

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