磁気抵抗素子及び磁気記憶装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-189475
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056272
出願日： 2016年09月28日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】磁気抵抗比を向上できる磁気抵抗素子及び磁気記憶装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗素子110は、第1磁性層11、第2磁性層12及び第1非磁性層11Nを含む。第1非磁性層11Nは、第1磁性層11と第2磁性層12との間に設けられる。第1非磁性層11Nは、逆スピネル構造を含む酸化物を含む。酸化物は、Mg、Ga及び酸素を含み、第1非磁性層11Nのバンドギャップは、2エレクトロンボルト以上7エレクトロンボルト未満である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた第1非磁性層であって、逆スピネル構造を含む酸化物を含む前記第1非磁性層と、を備えた磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/10 , H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 10/30 , H01F 10/32

FI (6件)：

H01L43/10 , H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01F10/30 , H01F10/32

Fターム (51件)：

4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD03 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 4M119HH01 , 4M119HH05 , 4M119HH07 , 4M119JJ03 , 5E049AA01 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB14 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC11 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB10 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB25 , 5F092BB34 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB45 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BE03 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE21 , 5F092BE27 , 5F092CA02

引用特許：

出願人引用 (8件)

特許第6103123号
スピン注入電極構造、及びスピン伝導素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-261252 出願人：TDK株式会社
面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法、磁気メモリシステムおよびデータを電子的に記憶する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-133942 出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー

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審査官引用 (9件)

特許第6103123号
特許第6103123号
スピン注入電極構造、及びスピン伝導素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-261252 出願人：TDK株式会社

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引用文献：

出願人引用 (1件)

Prediction of ground-state structures and order-disorder phase transitions in II-III spinel oxides:

審査官引用 (2件)

Prediction of ground-state structures and order-disorder phase transitions in II-III spinel oxides:
Prediction of ground-state structures and order-disorder phase transitions in II-III spinel oxides:

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