垂直磁化膜用下地、垂直磁化膜構造、垂直MTJ素子及びこれらを用いた垂直磁気記録媒体

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：續成朗 , 西澤利夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-508805
特許番号：特許第6288658号
出願日： 2015年03月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 hcp構造を有する金属であって、(001)面方位の立方晶系単結晶基板もしくは(001)面方位をもって成長した立方晶系配向膜に対して、[0001]方位が42°〜54°の範囲の角度をなすことを特徴とする垂直磁化膜用下地。

IPC (5件)：

G11B 5/738 ( 200 6.01) , G11B 5/65 ( 200 6.01) , G11B 5/84 ( 200 6.01) , H01F 10/26 ( 200 6.01) , H01L 43/10 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G11B 5/738 , G11B 5/65 , G11B 5/84 Z , H01F 10/26 , H01L 43/10

引用特許：

出願人引用 (5件)

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審査官引用 (5件)

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