磁気抵抗素子および磁気メモリ

発明者： , , , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：吉武賢次 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-079633
公開番号（公開出願番号）：特開2010-232499
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2010年10月14日
要約：

【課題】熱的に安定であると同時に低電流の磁化反転を可能とするスピン注入書き込み方式用の磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】下地層12と、下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1の磁性層13と、第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層15と、第1の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第2の磁性層17と、を備え、第1の磁性層は、DO22構造またはL10構造を有しc軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、第1の磁性層と第1の非磁性層と第2の磁性層とを貫く双方向電流によって、第1の磁性層の磁化方向が可変となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地層と、前記下地層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が可変の第1の磁性層と、前記第1の磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、前記第1の非磁性層上に設けられ膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁化方向が固定された第2の磁性層と、を備え、前記第1の磁性層は、DO22構造またはL10構造を有しc軸が膜面に垂直方向を向くフェリ磁性体層を含み、前記第1の磁性層と前記第1の非磁性層と前記第2の磁性層とを貫く双方向電流によって、前記第1の磁性層の磁化方向が可変となることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01F 10/32 , H01F 10/28 , H01F 10/12 , H01F 10/30

FI (8件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L27/10 447 , H01F10/32 , H01F10/28 , H01F10/12 , H01F10/30

Fターム (41件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD45 , 4M119EE23 , 4M119EE28 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 5E049AA10 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5F092AA02 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB12 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB36 , 5F092BB44 , 5F092BC03 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC18 , 5F092BE06 , 5F092BE12 , 5F092BE13 , 5F092BE15 , 5F092BE21 , 5F092BE24 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-094887 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-172845 出願人：株式会社東芝
磁気ランダムアクセスメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-262444 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Epitaxial Mn2.5Ga thin films with giant perpendicular magnetic anisotropy for spintronic devices

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