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J-GLOBAL ID：200902206634119719   整理番号：08A0548963

電流利得遮断周波数190GHzの4H-SiC基板に作製したAlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタ

AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on 4H-SiC Substrates with Current-Gain Cutoff Frequency of 190 GHz

著者 (4件)： HIGASHIWAKI Masataka (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN) ,  MIMURA Takashi (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  MATSUI Toshiaki (National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 2  ページ： 021103.1-021103.3  発行年： 2008年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリメータウエイブの応用を視野に入れて最新のAlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)技術を報告する。バリア層Al_0.4Ga_0.6N,窒化シリコンパシベ-ション層が夫々4nm,6nmでゲート長60nm HFETを4H-SiC基板に触媒CVD法で形成した。両方の構造は低いシート抵抗200-220Ω/sqである。これは高い移動度1900-2000cm²/(v/s)だけでなく高い電子密度(1.4-1.7)x10¹³cm^-2による為である。この性能はバリア層の高アルミニウム組成とCat-CVDによる窒化シリコンにより実現された。4-と6-nm厚みのバリア層の素子は最大ドレーン電流密度が1.4と1.6A/mmでピーク外因性トランスコンダクタンスは夫々448と424mS/mmである。最大f_Tとf_maxは夫々190と251GHzである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *利得 ,  *遮断周波数 ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  *窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： 電流利得 ,  電界効果トランジスタ ,  触媒CVD

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• OHNO, Y. IEEE Trans. Electron Devices. 2001, 48, 517
• YU, T.-H. J. Appl. Phys. 2002, 91, 3730
• O'LEARY, S. K. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2006, 17, 87
• HIGASHIWAKI, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L1111
• HIGASHIWAKI, M. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 139

タイトルに関連する用語 (7件)： 電流利得 ,  遮断周波数 ,  作製 ,  AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  電界効果トランジスタ