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J-GLOBAL ID：200902221470972848   整理番号：05A0298306

電子サイクロトロン共鳴スパッタリングにより蒸着した非晶質AlN膜を使ったAl/AlN/InP金属-絶縁性-半導体ダイオードの特性

Al/AlN/InP Metal-Insulator-Semiconductor-Diode Characteristics with Amorphous AlN Films Deposited by Electron-Cyclotron-Resonance Sputtering

著者 (5件)： SAITO K (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  ONO T (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIMADA M (NTT Microsystem Integration Lab., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA N (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN) ,  ENOKI T (NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 1A  ページ： 334-342  発行年： 2005年01月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを使ったスパッタリン...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (20件)：

• 1) T. Suemitsu, T. Ishii and Y. Ishii: IEICE Trans. Electon. E84-C (2001) 1283.
• 2) H. Matsuzaki, K. Sano and T. Enoki: to be published in IEICE Electron. Express.
• 3) H. Hayashi, I. Hatanaka, S. Sato and H. Ikoma: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) 4235.
• 4) Z. Fu, H. Takahashi, S. Kasai and H. Hasegawa: Jpn. J. Appl. Phys. 41 (2002) 1062.
• 5) H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, T. Asatsuma, T. Kobayashi and S. Imanaga: J. Cryst. Growth 189–190 (1998) 738.

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  スパッタリング ,  蒸着 ,  非晶質 ,  AlN ,  Al ,  InP ,  絶縁性 ,  半導体ダイオード