真空蒸着Alのヘリコン波励起プラズマ窒化により作製したAlN/InPの電気特性とX線光電子分光分析

HAYASHI H; HATANAKA I; SATO S; IKOMA H

文献

J-GLOBAL ID：200902185251384640 整理番号：97A0775172

真空蒸着Alのヘリコン波励起プラズマ窒化により作製したAlN/InPの電気特性とX線光電子分光分析

Electrical Characteristics and the X-ray Photoelectron Spectroscopy of AlN/InP Structure Fabricated by Helicon-Wave-Excited Plasma Nitridation of Vacuum-Evaporated Al.

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資料名：
巻： 36 号： 7A ページ： 4235-4240 発行年： 1997年07月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

InP基板に真空蒸着したAlを窒化して窒化アルミニウム/n-...

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金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (14件)：

1) J. F. Wager and C. W. Wilmsen: J. Appl. Phys. 51 (1980) 812
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4) W. Kulish and R. Kassing: J. Vac Sci. & Technol. B <b> 5</b> (1987) 523
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