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J-GLOBAL ID：200902296213394825   整理番号：04A0586157

低温焼なましにより誘起された(Ga,Mn)Asエピ層の面内磁気異方性における大きな変化

Significant Change in In-Plane Magnetic Anisotropy of (Ga,Mn)As Epilayer Induced by Low-Temperature Annealing

著者 (5件)： KATO H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HAMAYA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANIYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KITAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MUNEKATA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 7A  ページ： L904-L906  発行年： 2004年07月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温焼なましによる(Ga,Mn)Asエピ層の面内磁気異方性に...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

引用文献 (20件)：

• 1) A. M. Nazmul, S. Sugahara and M. Tanaka: Phys. Rev. B 67 (2003) 241308(R).
• 2) K. C. Ku, S. J. Potashnik, R. F. Wang, S. H. Chun, P. Schiffer, N. Samarth, M. J. Seong, A. Mascarenhas, E. Johnston-Haplperin, R. C. Myers, A. C. Gossard and D. D. Awschalom: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 2302.
• 3) D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura and H. Ohno: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3020.
• 4) K. W. Edmonds, P. Boguslawski, K. Y. Wang, R. P. Campion, S. N. Novikov, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher, C. T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. B. Naedelli and J. Bernholc: Phys. Rev. Lett. 92 (2004) 037201.
• 5) S. J. Potashnik, K. C. Ku, S. H. Chun, J. J. Berry, N. Samarth and P. Schiffer: Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1495.

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温焼なまし ,  誘起 ,  Ga ,  Mn ,  エピ層 ,  面内磁気異方性