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J-GLOBAL ID:200902216735023076   整理番号:03A0339450

(Ga,Mn)As三層構造に及ぼす低温アニーリングの効果

Effect of low-temperature annealing on (Ga,Mn)As trilayer structures
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著者 (4件):
資料名:
巻: 82  号: 18  ページ: 3020-3022  発行年: 2003年05月05日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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(Ga,Mn)As/GaAs/(Ga,Mn)As三層構造に及...
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  その他の無機化合物の磁性 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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