特許
J-GLOBAL ID:200903003838708530
多孔質基板およびその製法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
植木 久一
, 菅河 忠志
, 二口 治
, 伊藤 浩彰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-289250
公開番号(公開出願番号):特開2007-099540
出願日: 2005年09月30日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
【課題】任意の厚さを有し、表面の平滑なシリコン含有多孔質板であって、電気・電子回路が形成される片面側の表層部に、多孔質基板内部の骨格相と同質で且つ同程度の厚さの平滑な面が形成されており、伝送損失の小さな多孔質基板を提供すること。【解決手段】1対の平板によって構成される間隙内で、ゾル-ゲル反応により3次元網目状の骨格相(固体相)と溶媒に富む溶液相に分離した湿潤ゲルを形成する工程、該湿潤ゲルの前記溶液を乾燥除去する工程、および前記1対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去する工程、を含み、電気・電子回路が形成される片面側の表層部に、多孔質基板内部の骨格相と同質で且つ同程度の厚さの平滑な面が形成されている多孔質基板を得る。【選択図】図2
請求項(抜粋):
1対の平板によって構成される間隙内で、ゾル-ゲル反応により3次元網目状の骨格相と溶媒に富む溶液相に分離した湿潤ゲルを形成する工程、該湿潤ゲルの前記溶媒を乾燥除去する工程、および前記1対の平板のうち少なくとも片側の平板を除去する工程、を含むことを特徴とする多孔質基板の製法。
IPC (5件):
C04B 38/04
, H05K 1/03
, B32B 5/18
, B32B 27/00
, C01B 33/12
FI (5件):
C04B38/04 A
, H05K1/03 610G
, B32B5/18
, B32B27/00 101
, C01B33/12 C
Fターム (19件):
4F100AA20B
, 4F100AB01A
, 4F100AK52B
, 4F100AT00A
, 4F100DJ01B
, 4F100EH462
, 4F100EJ822
, 4F100EJ862
, 4F100GB43
, 4G072AA25
, 4G072BB09
, 4G072FF01
, 4G072FF04
, 4G072HH30
, 4G072JJ16
, 4G072JJ38
, 4G072NN21
, 4G072PP03
, 4G072UU01
引用特許: