特許
J-GLOBAL ID：200903046528565137
発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 幸一
, 吉井 正明
, 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-174008
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246393
出願日： 2009年07月27日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：
【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板などの基板11の一主面にこの基板11と異なる材料により凸部12を形成し、この凸部12の間の逆台形状の断面形状を有する凹部13に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系III-V族化合物半導体層15を五角形状の断面形状となる状態に成長させ、または、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態に窒化物系III-V族化合物半導体層15を成長させた後、この窒化物系III-V族化合物半導体層15を横方向成長させる。この窒化物系III-V族化合物半導体15上に、活性層を含む窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一主面に複数の凸部を有する基板であって当該凸部は当該基板と異なる材料からなるものを用い、当該基板の逆台形状の断面形状を有する凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系III-V族化合物半導体層を五角形状の断面形状となる状態に成長させ、または、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態に窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記窒化物系III-V族化合物半導体層を上記基板上に横方向成長させる工程と、
上記横方向成長させた上記窒化物系III-V族化合物半導体層上にn型またはp型窒化物系III-V族化合物半導体層、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた活性層およびp型またはn型窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程とを有する発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (27件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA83
, 5F041CA92
, 5F041CB11
, 5F041CB22
, 5F041DA07
, 5F041DA09
, 5F041DA14
, 5F041DA20
, 5F041DA82
, 5F041DA83
, 5F041DB07
, 5F041DB08
, 5F041DB09
, 5F041FF11
