窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153275
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353134
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】縦方向および横方向の両方の転位を低減することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体の形成方法は、第1GaN層3の上面上に、第2GaN層5を選択横方向成長させることによって、第2GaN層5からなるファセットを形成する工程と、ファセットの表面上に、格子定数の異なる2つの層が交互に積層された周期構造を有する超格子層6を形成する工程と、ファセットの表面上に形成された超格子層6上に、第3GaN層7を選択横方向成長させる工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

下地の上面上に、第1窒化物系半導体層を選択横方向成長させることによって、前記第1窒化物系半導体層からなるファセットを形成する工程と、前記ファセットの表面上に、格子定数の異なる2つの層が交互に積層された周期構造を有する超格子層を形成する工程と、前記ファセットの表面上に形成された超格子層上に、第2窒化物系半導体層を選択横方向成長させる工程とを備えた、窒化物系半導体の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (25件)：

5F041AA31 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AD09 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DB02 , 5F045DB06 , 5F052KA01 , 5F052KA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

窒化物半導体の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-131618 出願人：日亜化学工業株式会社
ヘテロエピタキシャル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-003885 出願人：株式会社日立製作所
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-038259 出願人：株式会社東芝

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