特許
J-GLOBAL ID：200903078812616697
窒化物系半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145793
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046127
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】低い駆動電圧で均一な発光を得ることが可能な窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】サファイア基板1上に形成されたn型コンタクト層4と、n型コンタクト層4上に形成され、窒化物系半導体(GaNおよびGa0.65In0.35N)からなるMQW発光層5と、MQW発光層5上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層(Ga0.85In0.15N)からなるp型コンタクト層9と、p型コンタクト層9上に形成され、透光性を有するp側電極10とを備える。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1導電型の第1窒化物系半導体層と、前記第1窒化物系半導体層上に形成され、窒化物系半導体からなる発光層と、前記発光層上に形成され、窒化ガリウムよりもバンドギャップの小さい窒化物系半導体層を含む第2導電型のコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成され、透光性を有する電極とを備えた、窒化物系半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01L 21/28 301
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01L 21/28 301 B
4M104AA04
, 4M104BB02
, 4M104BB07
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104GG04
, 4M104HH15
, 5F041AA05
, 5F041AA24
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA99
