特許
J-GLOBAL ID：200903083489007922
半導体素子および半導体層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-128864
公開番号（公開出願番号）：特開2005-236328
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 複数の結晶方位の中から適切な方位を選択して素子領域を配置することが可能ZnO半導体層の形成方法および半導体素子を提供することである。【解決手段】 下地の上面上に所定の間隔で隔てられた複数のマスク層を形成する工程と、前記マスク層を選択成長マスクとしてZnO半導体層を形成する工程と、を備えることにより、縦方向に伝播する転位が低減されたZnO半導体層を形成する。【選択図】図21
請求項（抜粋）：
下地の上面上に所定の間隔で隔てられた複数のマスク層を形成する工程と、
前記マスク層を選択成長マスクとしてZnO半導体層を形成する工程と、
を備えることにより、縦方向に伝播する転位が低減されたZnO半導体層を形成することを特徴とするZnO半導体層の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (26件)：
5F173AA08
, 5F173AF03
, 5F173AF15
, 5F173AF35
, 5F173AF75
, 5F173AG12
, 5F173AH22
, 5F173AH31
, 5F173AH44
, 5F173AH48
, 5F173AH49
, 5F173AJ10
, 5F173AJ20
, 5F173AK22
, 5F173AP04
, 5F173AP05
, 5F173AP19
, 5F173AP20
, 5F173AP24
, 5F173AP32
, 5F173AP38
, 5F173AP43
, 5F173AP44
, 5F173AP45
, 5F173AP47
, 5F173AR82
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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