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J-GLOBAL ID：201002240188153040   整理番号：10A1451940

原子スケールで平坦なSiO₂/Si酸化膜界面歪の評価

Strain evaluation in Si at atomically flat SiO₂/Si interface

著者 (18件)： 服部真季 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (明治大 理工) ,  小瀬村大亮 (日本学術振興会) ,  武井宗久 (明治大 理工) ,  永田晃基 (明治大 理工) ,  赤松弘彬 (明治大 理工) ,  富田基裕 (明治大 理工) ,  水上雄輝 (明治大 理工) ,  橋口裕樹 (明治大 理工) ,  山口拓也 (明治大 理工) ,  小椋厚志 (明治大 理工) ,  諏訪智之 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  寺本章伸 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  服部健雄 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  大見忠弘 (東北大 未来科学技術共同研究セ) ,  大見忠弘 (東北大 原子分子材料科学高等研究機構) ,  小金澤智之 (高輝度光科学セ) ,  廣沢一郎 (高輝度光科学セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 241(SDM2010 152-170)  ページ： 71-75  発行年： 2010年10月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 原子スケールで平坦なSiO₂/Si界面の構造や歪の状態を明らかにするために,ラマン分光法およびin-plane X線回折法に基づく測定・評価を行った。ラマン分光測定によりSiO₂/Si界面近傍には圧縮歪が存在していることを確認した。また,in-plane X線回折法によりラマン分光法同様,酸化温度上昇とともに圧縮歪が増大する傾向が確認された。Si110回折における測定では,通常禁制反射によりピークを観測できないとされているが,今回の結果からピークが2つにスプリットすることを確認した。この2つのピーク幅やピークの強度が,界面構造や局所歪と関係性があることが示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： 歪 ,  界面 ,  *Raman分光法 ,  二酸化ケイ素 ,  *X線回折 ,  酸化膜 ,  評価試験 ,  計測システム ,  レベリング ,  圧縮歪 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： in-plane X線回折法 ,  シリコン酸化膜 ,  ピークシフト ,  界面歪

分類 (2件)： 分光法と分光計一般  (BD07041Q) ,  X線回折法  (BK01020I)

引用文献 (19件)：

• SZE, S. M. 半導体デバイス. 2008
• KURODA, R. Extended Abstract of the International Conference on Solids State Devices and Materials, Tsukuba, 2008. 2008, 706
• SHIRAISHI, K. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2. 2000, 39, 12B, "L 1263"-"L 1266"
• 植松真司. 表面科学. 2002, 23, 2, 104-110
• 高桑雄二. 表面科学. 2002, 23, 9, 536-552

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子スケール ,  SiO2 ,  Si ,  酸化膜 ,  界面 ,  歪 ,  評価