文献

J-GLOBAL ID：200902147519379298   整理番号：01A0200944

小さい界面島状構造によるSiの層毎の酸化に関する現象論的理論

Phenomenological Theory on Si Layer-by-Layer Oxidation with Small Interfacial Islands.

著者 (3件)： SHIRAISHI K (NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN) ,  KAGESHIMA H (NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN) ,  UEMATSU M (NTT Basic Res. Lab., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 39  号： 12B  ページ： L1263-L1266  発行年： 2000年12月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 界面Siの放出を考慮してSiの層毎の酸化の機構を理論的に研究...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (17件)：

• 1) K. Ohishi and T. Hattori: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L675.
• 2) H. Watanabe, K. Kato, T. Uda, K. Fujita, M. Ichikawa, T. Kawamura and K. Terakura: Phys. Rev. Lett. 80 (1998) 345.
• 3) T. Komeda, K. Namba and Y. Nishioka: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L214.
• 4) H. Kageshima and K. Shiraishi: Phys. Rev. Lett. 81 (1998) 5936.
• 5) H. Watanabe, T. Baba and M. Ichikawa: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3284.

タイトルに関連する用語 (7件)： 界面 ,  島状構造 ,  Si ,  層 ,  酸化 ,  現象論 ,  理論