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J-GLOBAL ID：201102266109675440   整理番号：11A1375220

金属ブリッジ上部ゲートとナノギャップ電極を持つナノ粒子単一電子トランジスタ

Nanoparticle single-electron transistor with metal-bridged top-gate and nanogap electrodes

著者 (10件)： AZUMA Yasuo (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technlogy, 4259, Nagatsuta-cho, Yokohama 226-8503, Japan and CREST ...) ,  SUZUKI Seiichi (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technlogy, 4259, Nagatsuta-cho, Yokohama 226-8503, Japan and CREST ...) ,  MAEDA Kosuke (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technlogy, 4259, Nagatsuta-cho, Yokohama 226-8503, Japan and CREST ...) ,  OKABAYASHI Norio (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technlogy, 4259, Nagatsuta-cho, Yokohama 226-8503, Japan and CREST ...) ,  TANAKA Daisuke (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan and ...) ,  SAKAMOTO Masanori (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki 305-8571, Japan and ...) ,  TERANISHI Toshiharu (Inst. for Chemical Res., Kyoto Univ., Gokasho, Uji-shi, Kyoto 611-0011, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. ...) ,  BUITELAAR Mark R. (Cavendish Lab., Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  SMITH Charles G. (Cavendish Lab., Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  MAJIMA Yutaka (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., 4259, Nagatsuta-cho, Yokohama 226-8503, Japan; CREST, Japan ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 99  号： 7  ページ： 073109  発行年： 2011年08月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ブリッジ上部ゲートとナノギャップ電極を持つAuナノ粒子単一電子トランジスタを,二つの連続電子ビームリソグラフィーと無電解Auメッキステップを用いて製作した。金属ブリッジ上部ゲート電極は無電解Auメッキナノギャップ電極上に吊るした。Auナノ粒子(直径5.2nm)は上部ゲート製作後にナノギャップ電極間に化学吸着した。明確なCoulombダイヤモンドを9Kで観察した。上部ゲート電極のゲートキャパシタンスC_gは99zFで,サイド-ゲート電極のみの素子の10倍であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 金属 ,  ゲート【半導体】 ,  間隙 ,  電極 ,  ナノ粒子 ,  *単一電子トランジスタ ,  金 ,  電子ビームリソグラフィー ,  無電解めっき ,  金めっき ,  化学吸着 ,  コンダクタンス ,  静電容量
準シソーラス用語： Coulombダイヤモンド ,  キャパシタンス ,  ナノギャップ ,  ナノブリッジ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブリッジ ,  ゲート ,  ナノギャップ電極 ,  ナノ粒子 ,  単一電子トランジスタ