特許

J-GLOBAL ID：201103002376966450

発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法

発明者： 大前 暁 ,  塩見 治典 ,  風田川 統之 ,  網 隆明 ,  宮嶋 孝夫 ,  平松 雄司 ,  畑田 出穂 ,  岡野 展賢 ,  冨谷 茂隆 ,  簗嶋 克典 ,  日野 智公 ,  成井 啓修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-215342
公開番号（公開出願番号）：特開2007-116097
特許番号：特許第4462249号
出願日： 2006年08月08日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 一主面に複数の凸部を有する基板であって当該凸部は当該基板と異なる材料からなるものを用い、当該基板の逆台形状の断面形状を有する凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態まで窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程と、 上記窒化物系III-V族化合物半導体層を上記基板上に上記凹部において断面形状が六角形状となる状態を経て横方向成長させ、この際、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生し、上記三角形状の断面形状となる状態の上記窒化物系III-V族化合物半導体層の斜面またはその近傍に到達した転位が、上記一主面に平行な方向に屈曲する工程と、 上記横方向成長させた上記窒化物系III-V族化合物半導体層上にn型またはp型窒化物系III-V族化合物半導体層、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた活性層およびp型またはn型窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程とを有する発光ダイオードの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C30B 29/38 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 33/00 186 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-153275   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-090884   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体素子および半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-128864   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-145793   出願人：三洋電機株式会社