特許
J-GLOBAL ID：201103072146943866

GaN系III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
冨谷 茂隆

冨谷 茂隆 について

, 
後藤 修

後藤 修 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238739
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054982
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】440nm以上の発光波長で、高発光効率かつ高信頼性のGaN系III-V族化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本GaN系半導体レーザ素子10は、サファイア基板12の表層、バッファ層14、及び第1のGaN層16からなるストライプ状の凸部18、及びサファイア基板上に、第2のGaN層20、n側クラッド層22、n側ガイド層24、活性層26、劣化防止層28、p側ガイド層30、p側クラッド層32、及びp側コンタクト層34の積層構造を備える。活性層は、GaInN障壁層36と、GaInN井戸層38との量子井戸構造として構成されて、障壁層と井戸層の上面もしくは下面もしくはその双方との間にAlGaN層からなる面状結晶欠陥抑制層40を介在させている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
GaN系化合物半導体からなる障壁層とGaInN層からなる井戸層との量子井戸構造の活性層を有し、発光波長が440nm以上のGaN系III-V族化合物半導体発光素子において、 障壁層がGa1-xInxN(0≦x<0.1)層であり、 障壁層とGaInN井戸層の下面もしくは上面もしくはその双方との間に、膜厚0.25nm以上3nm以下のAlxGa1-xN層(0.02<x<0.4)からなる面状結晶欠陥抑制層が介在しているGaN系III-V族化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/32
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L33/00 186
Fターム (20件)：
5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F173AA08 ,  5F173AF06 ,  5F173AF12 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP06 ,  5F173AP19 ,  5F173AP82 ,  5F173AR23 ,  5F173AR82
引用特許：
審査官引用 (4件)
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