特許
J-GLOBAL ID：201103079887659663

誘電体絶縁薄膜の製造方法

発明者：
国武 豊喜

国武 豊喜 について

, 
青木 芳尚

青木 芳尚 について


出願人/特許権者：
独立行政法人理化学研究所

独立行政法人理化学研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-504122
特許番号：特許第4644830号
出願日： 2004年03月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面に水酸基を有するか又は表面に水酸基を導入した基材に、水酸基と縮合反応し、かつ加水分解により水酸基を生成し得る官能基を有する金属化合物を吸着させる工程Aと、 基材表面から過剰な金属化合物を除去する工程Bと、 金属化合物を加水分解して表面に水酸基を有する金属酸化物層を形成する工程Cと、 酸素プラズマ処理、オゾン酸化処理、焼成処理及び急熱酸化処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の処理方法で前記層を処理することにより誘電体絶縁薄膜を得る工程Dとを有し、 前記工程Cと前記工程Dの間に、前記工程Cで形成された金属酸化物層表面の水酸基に希土類金属イオンを吸着させる工程Gと、前記金属酸化物層表面から過剰な希土類金属イオンを除去するとともに、前記吸着した希土類金属イオンをヒドロキシル化することにより希土類金属層を形成する工程Hをさらに有する 誘電体絶縁薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  C04B 35/00 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/316 C ,  H01L 29/78 301 G ,  C04B 35/00 J
引用特許：
審査官引用 (4件)
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