半導体記憶装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166091
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017972
特許番号：特許第3380372号
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の主表面上に、該主表面にまで達する開口部を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記開口部に接続部材を埋め込む工程と、前記接続部材を介して前記半導体基板の主表面と電気的に接続されるキャパシタ下部電極としてルテニウム又はイリジウムが主たる構成元素である金属薄膜を形成する工程と、前記金属薄膜を構成する元素の酸化物からなる金属酸化膜を、前記金属薄膜上に形成した後、前記金属薄膜と前記金属酸化膜とからなる積層膜を所定のキャパシタ下部電極構造に加工する工程と、前記加工工程の後で、キャパシタ下部電極側面に現れる前記金属薄膜電極表面を、急速熱酸化処理と酸素を含むガス雰囲気中でのプラズマ処理とのうちの少なくとも1つの処理により酸化し、金属酸化膜電極とする工程と、前記金属酸化膜電極上に、高誘電率材料からなるキャパシタ誘電体膜とキャパシタ上部電極とを順次形成する工程とを含む半導体記憶装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/105 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 444 B

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000158 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-097071 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-231280 出願人：株式会社東芝

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