半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-293580
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116234
特許番号：特許第3785660号
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ZnSe/ZnTe多重量子井戸層と、上記ZnSe/ZnTe多重量子井戸層上のZnTe層と、上記ZnTe層上の金属電極とを有する半導体発光素子において、上記ZnTe層中に上記ZnTe層と異種の半導体であって、Znx Cd1-x Sey Te1-y (ただし、0≦x≦1.0、0≦y≦0.875)、Znx Cd1-x Sy Te1-y (ただし、0≦x≦1.0、0≦y≦0.58)またはZnx Cd1-x Sey Te1-y /ZnTe超格子(ただし、0≦x≦1.0、0≦y≦0.875)からなる金属拡散および結晶欠陥伝播防止層が少なくとも一層設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：