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J-GLOBAL ID：201202209718156045   整理番号：12A1436605

c軸単一配向SrBi₄Ti₄O₁₅,CaBi₄Ti₄O₁₅薄膜MIMダイオードの電気伝導特性

著者 (6件)： 田原直也 (京都工繊大 工芸) ,  河原英彰 (京都工繊大 工芸) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  山下馨 (京都工繊大 工芸) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  野田実 (京都工繊大 工芸)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 73rd  ページ： ROMBUNNO.13P-C10-18  発行年： 2012年08月27日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *チタン酸ストロンチウム ,  *ビスマス化合物 ,  チタン酸カルシウム ,  薄膜 ,  *ダイオード ,  電気伝導率 ,  誘電体 ,  漏れ電流 ,  配向 ,  一軸

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： C軸 ,  配向 ,  薄膜 ,  MIM ,  ダイオード ,  電気伝導特性