特許

J-GLOBAL ID：201203018736935730

レジスト膜除去方法

発明者： 鐘ヶ江 正巳 ,  沖野 晃俊 ,  宮原 秀一
出願人/特許権者： リバーベル株式会社 ,  国立大学法人東京工業大学
代理人 (1件)： 磯田 志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-237273
公開番号（公開出願番号）：特開2012-049560
出願日： 2011年10月28日
公開日（公表日）： 2012年03月08日
要約：

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び/又は薬液によるウェット処理とを行う。【選択図】 図14

請求項（抜粋）：

被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、 被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、 大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、 大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び/又は薬液によるウェット処理と、 を行うことを特徴とするレジスト膜除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/304

FI (7件)：

H01L21/302 104H ,  H01L21/302 101C ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/304 642A ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 643C

Fターム (40件)：

2H096LA01 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BB19 ,  5F004DB26 ,  5F157AA28 ,  5F157AA52 ,  5F157AA64 ,  5F157AA73 ,  5F157AA77 ,  5F157AB02 ,  5F157AB03 ,  5F157AB12 ,  5F157AB33 ,  5F157AB34 ,  5F157AB42 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC23 ,  5F157BB02 ,  5F157BB03 ,  5F157BB22 ,  5F157BB32 ,  5F157BB37 ,  5F157BB44 ,  5F157BB66 ,  5F157BG33 ,  5F157BG35 ,  5F157BG36 ,  5F157BG37 ,  5F157BG39 ,  5F157BG85 ,  5F157BG86 ,  5F157BH15 ,  5F157DA21 ,  5F157DB16 ,  5F157DB41 ,  5F157DB46 ,  5F157DB59

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-153493   出願人：富士通株式会社
• レジスト除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-252362   出願人：ローム株式会社