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J-GLOBAL ID：201302208544166616   整理番号：13A0903874

正方晶(111)Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の圧電特性に及ぼすクランピングの影響

著者 (14件)： 安本洵 (名古屋大) ,  山田智明 (名古屋大) ,  山田智明 (JST-さきがけ) ,  坂田修身 (物質材料機構) ,  坂田修身 (東京工大) ,  今井康彦 (JASRI) ,  木口賢紀 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  江原祥隆 (東京工大) ,  白石貴久 (東京工大) ,  及川貴弘 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  吉野正人 (名古屋大) ,  長崎正雅 (名古屋大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2013  ページ： ROMBUNNO.1A21  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  *正方晶系 ,  *圧電気 ,  *クランプ ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  基板 ,  チタン酸ストロンチウム ,  単結晶 ,  エピタクシー ,  定数 ,  相境界 ,  パルスレーザ蒸着 ,  圧電定数
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】 ,  エピタキシャル成長 ,  パルスレーザ堆積 ,  モルフォトロピック相境界 ,  圧電特性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (7件)： Pb ,  Zr ,  Ti ,  O3 ,  薄膜 ,  圧電特性 ,  クランピング