文献

J-GLOBAL ID：201302252005209025   整理番号：13A1438179

ドライエッチ面を含むAlGaN/GaNヘテロMOS構造の界面評価

著者 (5件)： 谷田部然治 (北大 量集セ) ,  堀祐臣 (北大 量集セ) ,  MA Wancheng (北大 量集セ) ,  橋詰保 (北大 量集セ) ,  橋詰保 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会講演予稿集  (応用物理学会北海道支部学術講演会・日本光学会北海道地区講演予稿集)
巻： 48th-9th  ページ： 7  発行年： 2013年01月11日 
JST資料番号： L5918A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *MOS構造 ,  *素子構造 ,  *表面準位 ,  状態密度 ,  電子構造 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *アルミナ ,  容量電圧特性 ,  複合欠陥 ,  *プラズマエッチング ,  トランジスタ
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *リセス構造 ,  界面準位 ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (7件)： エッチ面 ,  AlGaN ,  GaN ,  テロ ,  MOS構造 ,  界面 ,  評価