特許
J-GLOBAL ID：201303006188242886
発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 幸一
, 吉井 正明
, 山本 孝久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-174008
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246393
特許番号：特許第5152121号
出願日： 2009年07月27日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一主面に複数の凸部を有する基板であって当該凸部は当該基板と異なる材料からなるものを用い、当該基板の逆台形状の断面形状を有する凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態まで窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させ、この際、上記三角形状の断面形状となる状態の上記窒化物系III-V族化合物半導体層の高さが上記凸部の高さ以下である工程と、
上記窒化物系III-V族化合物半導体層を上記基板上に横方向成長させる工程と、
上記横方向成長させた上記窒化物系III-V族化合物半導体層上にn型またはp型窒化物系III-V族化合物半導体層、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた活性層およびp型またはn型窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程とを有する発光ダイオードの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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