特許

J-GLOBAL ID：201303099255638429

GaN系半導体レーザの製造方法

発明者： 日野 智公 ,  東條 剛 ,  池田 昌夫 ,  大藤 良夫 ,  内田 史朗 ,  冨谷 茂隆 ,  森田 悦男
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191614
公開番号（公開出願番号）：特開2002-335053
特許番号：特許第4977931号
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】GaN系半導体レーザの共振器端面を形成した後、電子サイクロトロン共鳴プラズマ装置の高真空に排気した処理室内の高真空中で200°C以上400°C以下の温度で加熱を行う工程と、 上記加熱を行った後、上記処理室内にアルゴンガスのプラズマ雰囲気を生成して上記共振器端面をプラズマのエネルギーを100kW・s以上500kW・s以下としてアルゴンガスのプラズマ雰囲気に暴露する工程と、 上記アルゴンガスのプラズマ雰囲気への暴露を行った後、上記共振器端面を大気にさらすことなく、上記処理室内において電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリングにより上記共振器端面に端面コーティングを施す工程とを有するGaN系半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/028 ( 200 6.01) ,  H01S 5/343 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/343 610

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-335850   出願人：ソニー株式会社
• 半導体レーザの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-338173   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-237025   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体レーザおよび製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-141416   出願人：松下電器産業株式会社