半導体シリサイド-シリコンコンタクトを用いた新しいヘテロ接合トンネルFETとそのスケーラビリティ

WU Yan; WU Yan; HASEGAWA Hiroyuki; HASEGAWA Hiroyuki; KAKUSHIMA Kuniyuki; OHMORI Kenji; WATANABE Takanobu; NISHIYAMA Akira; SUGII Nobuyuki; WAKABAYASHI Hitoshi; TSUTSUI Kazuo; KATAOKA Yoshinori; NATORI Kenji; YAMADA Keisaku; IWAI Hiroshi

文献

J-GLOBAL ID：201402284853158429 整理番号：14A0555418

半導体シリサイド-シリコンコンタクトを用いた新しいヘテロ接合トンネルFETとそのスケーラビリティ

A novel hetero-junction Tunnel-FET using Semiconducting silicide-Silicon contact and its scalability

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=14A0555418&COPY=1") }}
このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ） {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=14A0555418&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0530A") }}

著者 (15件)：

WU Yan

WU Yan について

名寄せID(JGPN) 200901100614927200 ですべてを検索
「WU Yan」ですべてを検索

(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

WU Yan

WU Yan について

名寄せID(JGPN) 200901100614927200 ですべてを検索
「WU Yan」ですべてを検索

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

HASEGAWA Hiroyuki

HASEGAWA Hiroyuki について

名寄せID(JGPN) 201550000287847486 ですべてを検索
「HASEGAWA Hiroyuki」ですべてを検索

(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

HASEGAWA Hiroyuki

HASEGAWA Hiroyuki について

名寄せID(JGPN) 201550000287847486 ですべてを検索
「HASEGAWA Hiroyuki」ですべてを検索

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

KAKUSHIMA Kuniyuki

KAKUSHIMA Kuniyuki について

名寄せID(JGPN) 200901100480725029 ですべてを検索
「KAKUSHIMA Kuniyuki」ですべてを検索

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

OHMORI Kenji

OHMORI Kenji について

名寄せID(JGPN) 200901100412185164 ですべてを検索
「OHMORI Kenji」ですべてを検索

(Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097159323 ですべてを検索
「Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

WATANABE Takanobu

WATANABE Takanobu について

名寄せID(JGPN) 200901100300049365 ですべてを検索
「WATANABE Takanobu」ですべてを検索
研究者情報を見る

(Inst. for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda Univ., Shinjuku, Tokyo 169-8555, JPN)

Inst. for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda Univ., Shinjuku, Tokyo 169-8555, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097470398 ですべてを検索
「Inst. for Nanoscience and Nanotechnology, Waseda Univ., Shinjuku, Tokyo 169-8555, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

NISHIYAMA Akira

NISHIYAMA Akira について

名寄せID(JGPN) 200901100304012091 ですべてを検索
「NISHIYAMA Akira」ですべてを検索

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

SUGII Nobuyuki

SUGII Nobuyuki について

名寄せID(JGPN) 200901100435529049 ですべてを検索
「SUGII Nobuyuki」ですべてを検索

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

WAKABAYASHI Hitoshi

WAKABAYASHI Hitoshi について

名寄せID(JGPN) 200901100476014711 ですべてを検索
「WAKABAYASHI Hitoshi」ですべてを検索
研究者情報を見る

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

TSUTSUI Kazuo

TSUTSUI Kazuo について

名寄せID(JGPN) 200901100417896107 ですべてを検索
「TSUTSUI Kazuo」ですべてを検索
研究者情報を見る

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

KATAOKA Yoshinori

KATAOKA Yoshinori について

名寄せID(JGPN) 201201100009701220 ですべてを検索
「KATAOKA Yoshinori」ですべてを検索

(Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Interdisciplinary Graduate School of Sci. and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

NATORI Kenji

NATORI Kenji について

名寄せID(JGPN) 200901100407299550 ですべてを検索
「NATORI Kenji」ですべてを検索

(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

YAMADA Keisaku

YAMADA Keisaku について

名寄せID(JGPN) 200901100444162450 ですべてを検索
「YAMADA Keisaku」ですべてを検索

(Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)

Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097159323 ですべてを検索
「Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

IWAI Hiroshi

IWAI Hiroshi について

名寄せID(JGPN) 200901100328699071 ですべてを検索
「IWAI Hiroshi」ですべてを検索

(Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN)

Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096291252 ですべてを検索
「Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Yokohama 226-8502, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

資料名：

Microelectronics Reliability (Microelectronics Reliability)

Microelectronics Reliability について

JST資料番号 C0530A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 54 号： 5 ページ： 899-904 発行年： 2014年05月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

ソース-チャネル構造として半導体シリサイドMg₂Si/Siヘテロ接合を用いた新しいタイプのシリコン系トンネルFET(TFET)を提案し,デバイスシミュレーションを提示した。シリサイドの狭いバンドギャップと,ヘテロ接合で不連続の伝導および価電子帯により,Siホモ接合TFTよりも大きなドレイン電流と小さなサブスレショルドスイングが得られた。構造最適化調査は,低いSiチャネル不純物濃度とヘテロ接合に対するゲート電極端の配置がTFETの良好な性能に導くことを明らかにした。ゲート長のスケーリングはオフ状態の漏れ電流を増加したが,ゲートスケーリングに従うドレイン電圧(V_d)低減がその現象を抑制し,その高い駆動性を保った。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

*ヘテロ接合

ヘテロ接合について

「ヘテロ接合」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*FET【トランジスタ】

FET【トランジスタ】について

「FET【トランジスタ】」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*スケーリング【計数】

スケーリング【計数】について

「スケーリング【計数】」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ケイ素

ケイ素について

「ケイ素」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*ケイ素化合物

ケイ素化合物について

「ケイ素化合物」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*マグネシウム化合物

マグネシウム化合物について

「マグネシウム化合物」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

シミュレーション

シミュレーションについて

「シミュレーション」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

バンドギャップ

バンドギャップについて

「バンドギャップ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

伝導バンド

伝導バンドについて

「伝導バンド」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

価電子バンド

価電子バンドについて

「価電子バンド」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*チャネル

チャネルについて

「チャネル」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

不純物濃度

不純物濃度について

「不純物濃度」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ゲート【半導体】

ゲート【半導体】について

「ゲート【半導体】」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

長さ

長さについて

「長さ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

漏れ電流

漏れ電流について

「漏れ電流」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ドレイン【半導体】

ドレイン【半導体】について

「ドレイン【半導体】」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

電流電圧特性

電流電圧特性について

「電流電圧特性」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

準シソーラス用語：

トンネルFET

トンネルFET について

「トンネルFET」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

TFET

TFET について

「TFET」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ゲート長

ゲート長について

「ゲート長」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

分類 (1件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

トランジスタ

(NC03070N)

トランジスタについて

分類コード NC03070N で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (6件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

シリサイド

シリサイドについて

「シリサイド」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

シリコン

シリコンについて

「シリコン」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

コンタクト

コンタクトについて

「コンタクト」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ヘテロ接合

ヘテロ接合について

「ヘテロ接合」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

トンネルFET

トンネルFET について

「トンネルFET」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

スケーラビリティ

スケーラビリティについて

「スケーラビリティ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る